V monografii, na osnowe prowedennyh s pomosch'ü sowremennyh metodow issledowanij opredelenna real'naq defektnaq struktura pripowerhnostnyh sloew kremniq w sisteme Si-SiO2. V rezul'tate poqwleniq mehanicheskih naprqzhenij i deformacij w pripowerhnostnoj oblasti kremniq obrazowywaetsq slozhnaq struktura, kotoraq sostoit iz oblasti sil'no razuporqdochennogo kremniq i oblasti, kotoraq soderzhit dislokacionnye setki. Na osnowe modeli pripowerhnostnyh sloew okislennogo kremniq postroennaq model' tokoperenosa w inwersionnom kanale polewyh MOP - priborow. Dannaq model' uchitywaet fakt rasseqniq nositelej zarqda na dislokacionnyh bar'erah, kotorye prisutstwuüt w kanale. Glubokie urowni pripowerhnostnogo sloq kremniq, obrazowannye granicami blokow razuporqdochennogo kremniq, wliqüt na balans mezhdu radiacionnoj chuwstwitel'nost'ü i termopolewoj stabil'nost'ü parametrow dozimetrow pogloschaüschej dozy ioniziruüschih izluchenij na osnowe polewyh MOP - tranzistorow.